碳化硅晶圓傳輸是一項非常重要的半導體生產過程中的步驟之一。這個過程需要使用到特殊的設備和技術，具體包括晶圓搬運、清洗、封裝等操作，以確保產出的碳化硅晶圓質量優(yōu)良、性能穩(wěn)定。
碳化硅晶圓傳輸的第一步是晶圓搬運，這個過程需要使用到一些專業(yè)的設備，例如載晶車、載晶盒等。在進行晶圓搬運過程中，需要嚴格控制溫度、緊密密封，避免晶圓在搬運過程中受到損壞或者污染。晶圓搬運的過程非常重要，因為晶圓的質量和性能會直接影響到最終產品的成品率和可靠性。
晶圓搬運完成后，需要進行清洗處理。這個過程需要使用到更加嚴格的設備和技術。一般情況下，采用的是機械式和化學式相結合的清洗方式，可以有效去除晶圓表面的污染和雜質。此外，還需要對晶圓進行干燥處理，以保證晶圓表面的干凈和充分的干燥。
清洗和干燥處理完成后，晶圓需要進行封裝。封裝是在晶圓表面涂覆一些保護材料，以保證晶圓在傳輸和加工過程中不會受到損傷或者污染。同時，封裝可以提高晶圓的防水、防氧化等性能，保證產品的穩(wěn)定可靠性。
在進行碳化硅晶圓傳輸的過程中，需要注意以下幾點：
1. 保證環(huán)境的潔凈和溫度的恒定，減少晶圓表面污染和溫度變化對晶圓質量的影響。
2. 選擇好的載晶車和載晶盒等設備，減少搬運過程中晶圓表面的摩擦和機械損傷。
3. 選擇高效的清洗和封裝設備，保證處理效果和效率。
4. 嚴格遵守操作規(guī)范和操作流程，確保每一步操作都符合標準和要求。
總之，碳化硅晶圓傳輸是半導體生產過程中非常重要的一環(huán)，需要采用專業(yè)的設備和技術，嚴格遵守操作規(guī)范和標準。只有保證傳輸過程中晶圓的質量和性能，才能生產出質量優(yōu)良、性能穩(wěn)定的半導體產品。
徠卡碳化硅晶圓傳輸用于碳化硅是寬禁帶半導體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢，是目前硅和砷化鎵等半導體材料所的，應用前景十分廣闊，是核心器件發(fā)展需要的關鍵材料，由于其加工難度大，一直未能得到大規(guī)模推廣應用。
碳化硅材料的加工難度體現在：
(1)硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6；
(2)化學穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強酸或強堿發(fā)生反應；
(3)加工設備尚不成熟。
因此，圍繞碳化硅晶圓劃片工藝和設備展開研究，對推動我國碳化硅新型電子元器件的發(fā)展，促進第三代半導體產業(yè)發(fā)展有著積極的意義。
1 碳化硅材料特性
碳化硅是ⅠⅤ-ⅠⅤ族二元化合物半導體，具有很強的離子共價鍵，結合能量穩(wěn)定，具有*的力學、化學性能。材料帶隙即禁帶能量決定了器件很多性能，包括光譜響應、抗輻射、工作溫度、擊穿電壓等，碳化硅禁帶寬度大。如的 4H-SiC禁帶能量是 3.23 eV，因此，具有良好的紫外光譜響應特性，被用于制作紫外光電二極管。SiC 臨界擊穿電場比常用半導體硅和砷化鎵大很多，其制作的器件具有很好的耐高壓特性。另外，擊穿電場和熱導率決定器件的最大功率傳輸能力，SiC 熱導率高達 5 W/(cm·K)，比許多金屬還要高，因此非常適合做高溫、大功率器件和電路。碳化硅熱穩(wěn)定性很好，可以工作在 300～600 ℃。碳化硅硬度高，耐磨性好，常用來研磨或切割其它材料，這就意味著碳化硅襯底的劃切非常棘手。
目前，用于制作電子器件的碳化硅晶圓主要有 2 種，N 型導電晶圓厚度 150～350 μm，電阻率0.010～0.028 Ω·cm 2 ，主要應用于發(fā)光二極管、電力電子行業(yè)的功率器件。高純半絕緣晶圓厚度50～100 μm，電阻率 1×10 8 Ω·cm 2 ，主要用于微波射頻、氮化鎵晶體管等領域。針對半導體行業(yè)應用的 SiC 晶圓劃切，研究幾種加工方法的特點及應用。
徠卡碳化硅晶圓傳輸劃片方法：
1. 砂輪劃片
砂輪劃片機是通過空氣靜壓電主軸驅動刀片高速旋轉，實現對材料的強力磨削。所用的刀片刃口鍍有金剛砂顆粒，金剛砂的莫氏硬度為 10 級，僅僅比硬度 9.5 級的 SiC 略高一點，反復地低速磨削不僅費時，而且費力，同時也會造成刀具頻繁磨損。如：100 mm（4 英寸）SiC 晶圓劃切每片需要6～8 h，且易造成崩邊缺陷。因此，這種傳統(tǒng)的低效加工方式已經逐漸被激光劃片取代。
2. 激光全劃
激光劃片是利用高能激光束照射工件表面，使被照射區(qū)域局部熔化、氣化，從而達到去除材料，實現劃片的過程。激光劃片是非接觸式加工，無機械應力損傷，加工方式靈活，不存在刀具損耗和水污染，設備使用維護成本低。為避免激光劃透晶圓時損傷支撐膜，采用耐高溫燒蝕的UV膜。
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